La EnZiMa : Tecnología y Ciencia

La memoria de acceso aleatorio (random-access memory, RAM) es la memoria desde donde el procesador recibe las instrucciones y guarda los resultados.

Todos sabemos que cuanta más Ram tenemos mayor cantidad de procesos / programas podemos abrir, y cuanta mayor velocidad tenga el bus de la memoria RAM más rápido lo harán.

Tipos de memoria:

SDR SDRAM
Fue utilizada en los Pentium II y en los Pentium III , así como en los AMD K6, AMD Athlon K7 y Duron
PC100: SDR SDRAM, funciona a un máx de 100 MHz.
PC133: SDR SDRAM, funciona a un máx de 133 MHz.

DDR SDRAM
Trabaja al doble de velocidad del bus del sistema, sin necesidad de aumentar la frecuencia de reloj, venía en los Intel Pentium 4 y en los AMD Sempron
PC2100 o DDR 266: funciona a un máx de 133 MHz.
PC2700 o DDR 333: funciona a un máx de 166 MHz.
PC3200 o DDR 400: funciona a un máx de 200 MHz.

DDR2 SDRAM
Son una mejora de las memorias DDR (Double Data Rate), que permiten que los búferes de entrada/salida trabajen al doble de la frecuencia del núcleo, permitiendo que durante cada ciclo de reloj se realicen cuatro transferencias.
PC2-4200 o DDR2-533: funciona a un máx de 533 MHz.
PC2-5300 o DDR2-667: funciona a un máx de 667 MHz.
PC2-6400 o DDR2-800: funciona a un máx de 800 MHz.
PC2-8600 o DDR2-1066: funciona a un máx de 1066 MHz.
PC2-9000 o DDR2-1200: funciona a un máx de 1200 MHz

DDR3 SDRAM
DDR 3 son una mejora de las memorias DDR 2, proporcionan significantes mejoras en el rendimiento en niveles de bajo voltaje, lo que lleva consigo una disminución del gasto global de consumo.
PC3-8600 o DDR3-1066: funciona a un máx de 1066 MHz.
PC3-10600 o DDR3-1333: funciona a un máx de 1333 MHz.
PC3-12800 o DDR3-1600: funciona a un máx de 1600 MHz.

DDR4 SDRAM - LO QUE VIENE


Aunque todavía no se van a comercializar, claro, para lo cual aún se necesitan unos cuantos años más. Pero sí, es real y son prototipos funcionales: Samsung ya ha mostrado la nueva generación de memorias RAM DDR4 bajo su línea de productos verdes, Samsung Green Memory.

Como hemos dicho, las DDR4 son prototipos en fase avanzada de desarrollo. Utilizan el proceso de fabricación en 30 nanómetros (ya usado en ciertos modelos muy concretos de DDR3) y, según Samsung, consumen hasta un 40% menos. Estos primeros modelos utilizan 1.2 voltios y permiten alcanzar un ancho de banda de entre 1.6 y 3.2 Gbps. con picos de 4 Gbps., más del doble de lo ofrecido por los módulos DDR3 actuales. Las capacidades de las nuevas DDR4 no parece que se vayan a ver incrementadas en exceso ya que los primeros módulos tienen “sólo” 2 GB, aunque el margen de mejora de cara al futuro seguramente permita fabricar módulos de hasta 8 y 16 GB, quizá incluso más.


Por otro lado, al requerir una menor diferencia de potencial (1.2 voltios en vez de los más comunes 1.5 de las DDR3) también permitirán un mayor rango de overclock a las frecuencias de funcionamiento y emitirán menos calor. Por ahora no se ha ofrecido fecha de lanzamiento, aunque yo no las esperaría hasta 2013, como poco. Tengamos en cuenta que las DDR3 apenas acaban de asentarse en el mercado en 2010/2011 y aún tienen que sacarlas partido.

Fuente Wikipedia